公司聚焦于IGBT芯片技术能力提升,一方面加快关键设备的投资,另一方面通过对外合作和内部自主研发相结合的方式,推动工艺技术的升级,新一代IGBT芯片已经出样,性能指标达到预期。第三代半导体方面,公司根据研发进程有序推进碳化硅(SiC)中试生产线建设,目前已按计划完成第一阶段建设目标,利用此建立的基础条件完成了1200V、650VSiC JBS产品开发和考核;1200V SiC MOSFET的研发也取得重大进展。与此同时,600V硅衬底氮化镓(GaN)HEMT器件主要动态和静态参数基本达标,同时公司完成了GaN MOCVD外延技术团队的组建。