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突发！国产光刻胶通过量产验证，8寸晶圆厂扩产将带动这类光刻胶需求，快速整理相关上市公司名单

电报内容

【国产光刻胶通过量产验证】《科创板日报》15日讯，据“中国光谷”今日消息，光谷企业近日在半导体专用光刻胶领域实现重大突破：武汉太紫微光电科技有限公司推出的T150 A光刻胶产品，已通过半导体工艺量产验证，实现配方全自主设计，有望开创国内半导体光刻制造新局面。该产品对标国际头部企业主流KrF光刻胶系列。相较于被业内称之为“妖胶”的国外同系列产品UV1610，T150 A在光刻工艺中表现出的极限分辨率达到120nm，且工艺宽容度更大，稳定性更高，坚膜后烘留膜率优秀，其对后道刻蚀工艺表现更为友好，通过验证发现T150 A中密集图形经过刻蚀，下层介质的侧壁垂直度表现优异。

电报解读

突发！国产光刻胶通过量产验证，8寸晶圆厂扩产将带动这类光刻胶需求，快速整理相关上市公司名单（附表），这家公司的产品已在国内主流晶圆制造客户处验证，多款产品处于持续销售中。

一、全球8寸/12寸晶圆厂扩产将带动KrF光刻胶需求

光刻胶品种众多，依据工艺条件选取相应品种。光刻胶能够利用光化学反应，经过曝光、显影等光刻工艺，将所需微细图形从掩模版转移到待加工基片上。

半导体光刻胶使用主要取决于制程，通常越先进制程相应需要使用越短曝光波长光刻胶，以达到特征尺寸微小化。G/I线、KrF光刻胶均为成熟制程用光刻胶，G/I线光刻胶主要用于高压汞灯光源光刻工艺，对应工艺制程为350nm及以上；KrF光刻胶主要用于KrF激光光源光刻工艺，对应工艺制程250-150nm；ArF光刻胶主要用于DUV光刻工艺，可用于130-14nm芯片工艺制程，其中干法主要用于130-65nm工艺，浸没式主要用于65-14nm工艺。

当前，摩尔定律趋近极限，半导体制造制程进步使得所对应光刻加工特征尺寸（CD）不断缩小，配套光刻胶也逐渐由G线(436nm)→I线(365nm)→KrF(248nm)→ArF(193nm)→F2(157nm)方向转移，从而满足IC制造更高集成度要求。

华金证券研报指出，制造8寸、12寸晶圆需使用KrF、ArF光刻胶，全球8寸/12寸晶圆厂扩产将带动KrF、ArF光刻胶需求。

二、机构测算明年KrF光刻胶市场规模为9.07亿美元

全球半导体光刻胶市场基本被日本企业垄断。市场TOP5中东京应化、陶氏化学、JSR和住友化学均为日本企业。目前国内8英寸和12英寸晶圆制造产线中使用的先进光刻胶仍有90%以上依赖进口。根据机构研报，国产先进制程用光刻胶的国产化已取得较大进展，在g/I线和KrF光刻胶中已能实现一定替代，而ArF光刻胶逐步取得核心突破，国产化前景光明。

从光刻胶的下游行业市场分布情况看，半导体、PCB和显示是主要应用领域。在半导体行业中，目前光刻胶约占晶圆材料制造成本的13%。按照配套使用的光刻机类型，半导体光刻胶可划分为g/I线胶、KrF胶、ArF胶、ArFi胶和EUV胶，全球市场占比分别约为16%、34%、10%、38%和2%。

根据SEMI数据，2026年全球300mm（12寸）晶圆厂产能有望提高至960万片/月；全球半导体制造商预计将从2021年到2025年将200mm晶圆厂产能提高20%，新增13条200mm生产线，产能有望超700万片/月，故未来KrF、ArF光刻胶将成为国内外厂商主要竞争市场。根据TECHCET数据，2025年，KrF/ArF光刻胶市场规模分别为9.07/10.72亿美元。

三、相关上市公司：

容大感光：公司的光刻胶产品主要包括紫外线正胶、紫外线负胶两大类产品以及稀释剂、显影液、剥离液等配套化学品，主要应用于平板显示、发光二极管及集成电路等领域。

南大光电：公司于2024年初中标某实验室的光刻胶测试服务项目。项目是利用公司现有的Arf光刻机和Krf光刻机剩余的光刻检验能力，为实验室测试光刻 胶样品，实验室支付测试费。

上海新阳：公司光刻胶已在国内主流晶圆制造客户处验证，其中KrF光刻胶产品已有多款持续销售中。